Ondarymgeçiriji gaplama adaty 1D PCB dizaýnlaryndan wafli derejesinde iň täze 3D gibrid baglanyşygyna öwrüldi. Bu öňe gidişlik, ýokary energiýa netijeliligini saklamak bilen bir hatarda 1000 GB / s çenli zolakly giňlik bilen bir sanly mikron diapazonda özara baglanyşyk mümkinçiligini berýär. Öňdebaryjy ýarymgeçiriji gaplaýyş tehnologiýalarynyň özeninde 2.5D gaplama (komponentler araçy gatlakda gapdalda ýerleşýär) we 3D gaplama (işjeň çipleri dikligine ýerleşdirmegi öz içine alýar). Bu tehnologiýalar HPC ulgamlarynyň geljegi üçin möhümdir.
2.5D gaplama tehnologiýasy dürli araçy gatlak materiallaryny öz içine alýar, hersiniň öz artykmaçlyklary we kemçilikleri bar. Silikon (Si) araçy gatlaklary, şol sanda doly passiw kremniý wafli we lokallaşdyrylan kremniý köprüleri, iň oňat sim geçiriş mümkinçilikleri bilen tanalýar we ýokary öndürijilikli hasaplama üçin ideal edýär. Şeýle-de bolsa, materiallar we önümçilik taýdan gaty gymmat we gaplaýyş meýdançasyndaky çäklendirmeler. Bu meseleleri ýeňilleşdirmek üçin lokallaşdyrylan kremniý köprüleriniň ulanylyşy artýar, strategiki taýdan kremnini ulanýar, bu ýerdäki çäklendirmeleri çözmek bilen oňat işlemek möhümdir.
Organiki araçy gatlaklar, fanadan ýasalan plastmassalary ulanyp, kremniniň has tygşytly alternatiwasydyr. Olarda pes dielektrik hemişelik bar, bu paketdäki RC gijikdirmesini azaldýar. Bu artykmaçlyklara garamazdan, organiki araçy gatlaklar, ýokary öndürijilikli hasaplaýyş programmalarynda kabul edilmegini çäklendirip, kremniý esasly gaplamalar bilen özara baglanyşyk aýratynlygyny peseltmek üçin göreşýärler.
Aýna araçy gatlaklar, esasanam Intel-iň aýna esasly synag ulagynyň gaplanyşyndan soň uly gyzyklanma döretdi. Aýna ýylylyk giňelişiniň sazlanylýan koeffisiýenti (CTE), ýokary ölçegli durnuklylyk, tekiz we tekiz ýüzler we panel önümçiligini goldamak ukyby ýaly birnäçe artykmaçlygy hödürleýär, kremniý bilen deňeşdirip boljak sim geçirijilik ukyby bolan araçy gatlaklara geljegi uly kandidat. Şeýle-de bolsa, tehniki kynçylyklardan başga-da, aýna araçy gatlaklaryň esasy kemçiligi, ýetişmedik ekosistemanyň we häzirki wagtda uly göwrümli önümçilik kuwwatynyň ýoklugydyr. Ekosistemanyň kämillik ýaşyna ýetmegi we önümçilik mümkinçilikleri gowulaşdygyça ýarymgeçiriji gaplamada aýna esasly tehnologiýalar mundan beýläk ösüşi we kabul edilmegi görüp biler.
3D gaplama tehnologiýasy nukdaýnazaryndan “Cu-Cu” gibrid baglanyşygy öňdebaryjy innowasiýa tehnologiýasyna öwrülýär. Bu ösen usul, dielektrik materiallary (SiO2 ýaly) oturdylan metallar (Cu) bilen birleşdirip, hemişelik baglanyşyklara ýetýär. “Cu-Cu” gibrid baglanyşygy, 10 mikrondan aşak aralyklara ýetip biler, adatça bir sanly mikron aralygynda, takmynan 40-50 mikron aralygy bolan adaty mikro-bökmek tehnologiýasyndan ep-esli gowulaşmagy görkezýär. Gibrid baglanyşygyň artykmaçlyklary I / O-ny ýokarlandyrmagy, geçirijilik giňligini ýokarlandyrmagy, 3D dik dikligi gowulandyrmagy, has gowy netijeliligi we aşaky doldurmagyň ýoklugy sebäpli parazit täsirlerini we ýylylyk garşylygyny peseltmegi öz içine alýar. Şeýle-de bolsa, bu tehnologiýa öndürmek çylşyrymly we has köp çykdajy edýär.
2.5D we 3D gaplama tehnologiýalary dürli gaplama usullaryny öz içine alýar. 2.5D gaplamada, araçy gatlak materiallarynyň saýlanyşyna baglylykda, ýokardaky suratda görkezilişi ýaly, kremniý esasly, organiki we aýna esasly araçy gatlaklara bölünip bilner. 3D gaplamada mikro-bökmek tehnologiýasynyň ösüşi aralyk ölçeglerini azaltmagy maksat edinýär, ýöne häzirki wagtda gibrid baglanyşyk tehnologiýasyny (göni Cu-Cu birikdiriş usuly) ulanmak bilen, bu ugurda möhüm ösüşi görkezýän bir sanly aralyk ölçeglerine ýetip bolýar. .
** Gözegçiligiň esasy tehnologiki ugurlary: **
1. TSMC, NVIDIA we Google we Amazon ýaly beýleki öňdebaryjy HPC işläp düzüjileri üçin 2.5D kremniy araçy gatlaklaryny esasy üpjün ediji bolup, kompaniýa ýakynda 3,5x retikl ululygy bilen ilkinji nesli CoWoS_L-iň köpçülikleýin önümçiligini yglan etdi. IDTechEx hasabatynda esasy oýunçylary öz içine alýan öňe gidişlikler bilen bu tendensiýanyň dowam etmegine garaşýar.
2. ** Panel derejeli gaplama: ** 2024-nji ýylda Taýwan halkara ýarymgeçiriji sergisinde görkezilişi ýaly panel derejeli gaplamalar möhüm ünsi özüne çekdi. Bu gaplama usuly has uly araçy gatlaklary ulanmaga mümkinçilik berýär we bir wagtyň özünde has köp paket öndürip çykdajylary azaltmaga kömek edýär. Mümkinçiligine garamazdan, sahypa sahypasyny dolandyrmak ýaly kynçylyklar henizem çözülmeli. Onuň artýan meşhurlygy, has uly, has tygşytly araçy gatlaklara bolan islegi görkezýär.
3. ** Aýna araçy gatlaklar: ** Aýna, sazlanylýan CTE we has ygtybarlylygy ýaly goşmaça artykmaçlyklary bilen kremniý bilen deňeşdirip boljak inçe simlere ýetmek üçin güýçli dalaşgär materialy hökmünde ýüze çykýar. Aýna araçy gatlaklar, has dolandyrylýan çykdajylarda ýokary dykyzlykly simleriň mümkinçiligini hödürläp, geljekki gaplama tehnologiýalary üçin geljegi uly çözgüt bolup, panel derejeli gaplamalar bilen hem gabat gelýär.
4. ** HBM gibrid baglanyşyk: ** 3D mis-mis (Cu-Cu) gibrid baglanyşyk, çipleriň arasynda ultra inçe inçe dikligine baglanyşyk gazanmak üçin esasy tehnologiýa. Bu tehnologiýa dürli ýokary derejeli serwer önümlerinde, şol sanda AMD EPYC-de saklanan SRAM we CPU-lar üçin, şeýle hem CPU / GPU bloklaryny I / O ölmek üçin MI300 seriýasynda ulanyldy. Gibrid baglanyşyk geljekdäki HBM ösüşlerinde möhüm rol oýnar diýlip garaşylýar, esasanam 16-Hi ýa-da 20-Hi gatlaklaryndan ýokary DRAM stakanlary üçin.
5. ** Bilelikdäki gaplanan optiki enjamlar (CPO): ** Has ýokary maglumat geçirijiligine we güýç netijeliligine bolan islegiň artmagy bilen optiki özara baglanyşyk tehnologiýasy uly ünsi çekdi. Bilelikde gaplanan optiki enjamlar (CPO) I / O geçirijilik giňligini ýokarlandyrmak we energiýa sarp edilişini azaltmak üçin esasy çözgüt bolýar. Adaty elektrik geçirijisi bilen deňeşdirilende, optiki aragatnaşyk birnäçe artykmaçlygy hödürleýär, şol sanda uzak aralyklara signalyň peselmegi, pyýada geçelge duýgurlygynyň peselmegi we geçirijilik ukybynyň ep-esli ýokarlanmagy. Bu artykmaçlyklar CPO-ny maglumatlary köp talap edýän, energiýa tygşytlaýan HPC ulgamlary üçin ideal saýlamaga öwürýär.
** Görmeli esasy bazarlar: **
2.5D we 3D gaplama tehnologiýalarynyň ösmegine itergi berýän esasy bazar, şübhesiz ýokary öndürijilikli hasaplaýyş (HPC) pudagydyr. Bu ösen gaplama usullary, Muruň kanunynyň çäklendirmelerini ýeňip geçmek üçin bir paketiň içinde has köp tranzistorlary, ýady we özara baglanyşyklary üpjün etmek üçin möhümdir. Çipleriň bölünmegi, I / O bloklary gaýtadan işlemek bloklaryndan aýyrmak, netijeliligi has-da ýokarlandyrmak ýaly dürli funksional bloklaryň arasynda proses düwünlerini optimal ulanmaga mümkinçilik berýär.
Performanceokary öndürijilikli hasaplaýyşdan (HPC) başga-da, beýleki bazarlarda ösen gaplama tehnologiýalaryny ornaşdyrmak arkaly ösüşe garaşylýar. 5G we 6G pudaklarynda gaplaýyş antennalary we iň täze çip çözgütleri ýaly täzelikler simsiz giriş torunyň (RAN) arhitekturasynyň geljegini emele getirer. Awtonom ulaglar hem peýda görer, sebäbi bu tehnologiýalar howpsuzlygy, ygtybarlylygy, ykjamlygy, güýç we ýylylyk dolandyryşyny we çykdajylaryň netijeliligini üpjün etmek bilen köp mukdarda maglumatlary gaýtadan işlemek üçin datçik toplumlarynyň we hasaplaýyş bölümleriniň birleşmegini goldaýar.
Sarp ediji elektronikasy (smartfonlar, akylly sagatlar, AR / VR enjamlary, kompýuterler we iş stansiýalary) has köp çykdajylara garamazdan has kiçi ýerlerde has köp maglumatlary gaýtadan işlemäge gönükdirilýär. Öňdebaryjy ýarymgeçiriji gaplama bu ugurda möhüm rol oýnar, gaplama usullary HPC-de ulanylýanlardan tapawutlanyp biler.
Iş wagty: 25-2024-nji oktýabr