Senagat habarlary: IVWorks'reGaN tehnologiýasy ilkinji 742GHz GaN HEMT-ni mümkinçilik berýär

Surat: IVWorks inženeri önümçilik möçberindäki gibrid MBE ulgamynda ýerleşdirmek üçin plazma çeşmesini kalibrleýär, bu bolsa ýokary deňligi we ýokary hilli GaN epitaksial ösüşini goldaýar.

Günorta Koreýanyň Daejeon şäherindäki IVWorks Co Ltd kompaniýasynyň hususy reGaN selektiw gaýtadan ösdürmek tehnologiýasyny öz içine alýan galliý nitridi (GaN) ýokary elektron hereketli tranzistor (HEMT) dünýäde iň ýokary yrgyldama ýygylygyna ýeten ilkinji GaN tranzistory boldy (f_maksimum) 700GHz-den ýokary. Bu Kyungpook Milli Uniwersitetiniň Elektronika Inženerçiligi Mekdebinde professor Dae-hyun Kimiň ylmy topary tarapyndan işlenip düzülen 45nm GaN HEMT enjamy arkaly görkezildi we 18-nji iýunda ABŞ-nyň Gawai ştatynyň Gonolulu şäherinde geçirilen VLSI tehnologiýasy we zynjyrlary boýunça 2026-njy ýyldaky IEEE/JSAP simpoziumynda görkezildi.

Ylmy-barlag topary 45 nm derweze uzynlygy bolan GaN tranzistoryny ýasady we rekord derejede f gazandy._maksimum742GHz-e deň bolup, GaN tranzistor tehnologiýasynda RF öndürijiligi üçin täze ölçeg döredýär. Enjam şeýle hem rekord ortaça ýygylyk metrikasyna (favg) 497GHz ýetdi, bu bolsa häzirki wagta çenli islendik GaN tranzistor tehnologiýasy üçin habar berlen iň ýokary bahadyr. Bu netijeler GaN ýarymgeçirijileriniň hatda ultra ýokary ýygylykly režimde hem ýeterlik öndürijilik bäsdeşligine eýedigini we geljekki subterahers we terahers elektron ulgamlary üçin amatly platforma bolup hyzmat edip biljekdigini görkezýär diýip, IVWorks aýdýar.

Indiý fosfid (InP) esasly tranzistorlar özleriniň ajaýyp elektron daşamak häsiýetleri sebäpli terahersden aşak ýygylyk režiminde uzak wagtlap agalyk edip gelen bolsa-da, olaryň deňeşdirme boýunça pes dargama woltažy çykyş kuwwatyny we ulgamyň ölçeklenmegini çäklendirýär. Tersine, GaN ýokary dargama elektrik meýdanynyň, ýokary kuwwatlylyk dykyzlygynyň we ajaýyp termal berkligiň özboluşly utgaşmasyny hödürleýär, bu bolsa olary indiki nesil ýokary ýygylykly we ýokary kuwwatly ulanylyşlar üçin özüne çekiji dalaşgärlere öwürýär. Şeýle-de bolsa, GaN bilen ultra ýokary ýygylykly öndürijilige ýetmek uly kynçylyk bolmagynda galýar. Bu çäklendirmeleri ýeňip geçmek üçin ylmy topar ýokary ýygylykly öndürijiligi iň ýokary derejä çykarmak üçin ösen 45nm derweze prosesini we optimizirlenen enjam arhitekturasyny ulandy.

Esasy mümkinçilik dörediji faktor IVWorks-yň hususy reGaN selektiw gaýtadan ösüş tehnologiýasy boldy. Diňe IVWorks tarapyndan işlenip düzülen reGaN çeşme we suw akaba sebitlerinde köp derejede lehimlenen n-tipli GaN-y selektiw usulda gaýtadan ösdürýär we kontakt garşylygyny ep-esli azaldýar. Bu gözlegde bilelikdäki gözleg hyzmatdaşy hökmünde IVWorks tutuş 4 dýuýmlyk plastinkada ajaýyp proses deňligi barada aýdylýan zady görkezdi we ajaýyp gaýtalanmaga mümkinçilik gazandy. Mundan başga-da, firma gaýtadan ösüş interfeýsiniň garşylygyny azaldyp (R),_int) 0,027Ω-mm çenli, degişli daşaýjy konsentrasiýasynda ýetip bolýan nazaryýet çägine golaýlaşýar.

“Bu gözleg GaN HEMT-leriniň RF öndürijilik çäklerini täze derejä çykarýar we dünýäde ilkinji gezek 700 GHz-den ýokary h-ly GaN HEMT-niň görkezilişi arkaly GaN ýarymgeçirijileriniň ultra ýokary ýygylykly ulanylyşlar üçin mümkinçiliklerini görkezýär” diýip, professor Dae-hyun Kim aýdýar. “Bu gözleg senagat-akademiýa hyzmatdaşlygynyň üstünlikli mysaly hökmünde aýratyn ähmiýetlidir, senagatyň öňdebaryjy epitaksial ösüşini we gaýtadan ösüş tehnologiýalaryny uniwersitetiň enjam we zynjyr barlaglaryndaky tejribesi bilen birleşdirýär” diýip, ol sözüniň üstüne goşýar.

“Bu üstünlige daýanyp, biz 6G aragatnaşyk we ösen goranyş tehnologiýalary üçin terahers ýygylykly ulanylyşlara gönükdirilen täze nesil GaN elektron enjamlarynyň ösüşini has-da çaltlandyrmagy meýilleşdirýäris.”

“IVWorks” bu üstünligiň GaN tehnologiýasynyň däp bolan RF we güýç elektronikasyndan daşary çykyp, 6G aragatnaşygy, ösen radar ulgamlary, hemra aragatnaşygy we täze nesil goranyş elektronikasy ýaly täze terahers we terahers tizlikli ulanylyşlara giňelmek üçin artýan mümkinçiligini has-da aýdyňlaşdyrýandygyny aýdýar.

“reGaN iri döküm zawodynda hil taýdan synagdan geçen we köp mukdarda önümçilik üçin kabul edilen esasy tehnologiýadyr” diýip, IVWorks-yň baş direktory Ýong-kyun Noh aýdýar. “Bu üstünlik biziň gibrid-MBE esasly reGaN platformamyzyň diňe bir önümçilik üçin taýýar däl, eýsem indiki nesil subterahers we terahers GaN elektronikasy üçin möhüm mümkinçilik döredýän tehnologiýadygyny görkezýär” diýip, ol sözüniň üstüne goşýar. “IVWorks tehnologiýasynyň dünýäde öňdebaryjy ylmy-barlag tapgyryna goşant goşýandygyny görmek bizi buýsandyrýar”.